IMW120R040M1HXKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IMW120R040M1HXKSA1
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 55 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 非常低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDS(th) = 4.2 V。 应用：工业驱动器。 工业电源
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
30
货期
现货
IMW120R040M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IMW120R040M1HXKSA1概述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 55 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 非常低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压， VGDS(th) = 4.2 V。 应用：工业驱动器。 工业电源
IMW120R040M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMW120R040M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。