IMW120R007M1HXKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IMW120R007M1HXKSA1
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDCC = 225 A at TVj = 25°C。 RDSS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.2 V。 抗寄生导通能力强， 可施加 0 V 关断栅极电压。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
4
货期
现货
IMW120R007M1HXKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IMW120R007M1HXKSA1概述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDCC = 225 A at TVj = 25°C。 RDSS(on) = 7 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.2 V。 抗寄生导通能力强， 可施加 0 V 关断栅极电压。 应用：通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电
IMW120R007M1HXKSA1特性
暂无产品特性。
IMW120R007M1HXKSA1应用领域
暂无应用领域。