IMTA65R060M2HXTMA1
IC
PG-LHSOF-4
可供量大可议
IMTA65R060M2HXTMA1
第二代碳化硅沟槽技术SiC MOSFET， 具备高性能、高可靠性和易用性
品牌
Infineon
封装
PG-LHSOF-4
库存
30
货期
现货
IMTA65R060M2HXTMA1参数
| 封装 | PG-LHSOF-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IMTA65R060M2HXTMA1概述
第二代碳化硅沟槽技术SiC MOSFET， 具备高性能、高可靠性和易用性
IMTA65R060M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMTA65R060M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。