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IMT65R057M1HXUMA1
IC

HSOF-8-1

可供量大可议

IMT65R057M1HXUMA1

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境, 能够实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

品牌

Infineon

封装

HSOF-8-1

库存

7

货期

现货

IMT65R057M1HXUMA1参数

封装HSOF-8-1
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存7

IMT65R057M1HXUMA1概述

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境, 能够实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。

IMT65R057M1HXUMA1特性

暂无产品特性。

IMT65R057M1HXUMA1应用领域

暂无应用领域。

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