IMT65R050M2HXUMA1-HXY
IC
TOLLS
可供量大可议
IMT65R050M2HXUMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为45mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 同时具备良好的热稳定性。 适用于高效率电源转换系统， 如服务器电源、通信设备供电模块以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子装置。
品牌
HXY MOSFET
封装
TOLLS
库存
12
货期
现货
IMT65R050M2HXUMA1-HXY参数
| 封装 | TOLLS |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
IMT65R050M2HXUMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压， 导通电阻为45mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 基于碳化硅材料特性， 器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗， 同时具备良好的热稳定性。 适用于高效率电源转换系统， 如服务器电源、通信设备供电模块以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子装置。
IMT65R050M2HXUMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMT65R050M2HXUMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。