IMT65R039M1HXUMA1
IC
HSOF-8-1
可供量大可议
IMT65R039M1HXUMA1
基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣的操作环境, 能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
品牌
Infineon
封装
HSOF-8-1
库存
20
货期
现货
IMT65R039M1HXUMA1参数
| 封装 | HSOF-8-1 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IMT65R039M1HXUMA1概述
基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性, 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣的操作环境, 能够以简化且经济高效的方式实现最高的系统效率。
IMT65R039M1HXUMA1特性
暂无产品特性。
IMT65R039M1HXUMA1应用领域
暂无应用领域。
