IMT65R026M2HXUMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IMT65R026M2HXUMA1
碳化硅MOSFET， 基于第二代沟槽技术， 具有低开关损耗和高可靠性
Brand
Infineon
Package
HSOF-8
Stock
20
货期
现货
IMT65R026M2HXUMA1Parameters
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
IMT65R026M2HXUMA1概述
碳化硅MOSFET， 基于第二代沟槽技术， 具有低开关损耗和高可靠性
IMT65R026M2HXUMA1特性
暂无产品特性。
IMT65R026M2HXUMA1应用领域
暂无应用领域。