IMT65R020M2HXUMA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有116A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压， 导通电阻为20mΩ， 栅源电压范围为-10V至+25V。 器件基于碳化硅材料， 在高频开关条件下展现出优异的导通特性和较低的开关损耗， 同时具备良好的高温稳定性和热传导能力。 适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统， 如数据中心供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场合。