IMT65R020M2HXUMA1
IC
HSOF-8
可供量大可议
IMT65R020M2HXUMA1
采用第二代碳化硅沟槽技术的SiC MOSFET， 具备超低开关损耗和稳健体二极管特性
品牌
Infineon
封装
HSOF-8
库存
10
货期
现货
IMT65R020M2HXUMA1参数
| 封装 | HSOF-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IMT65R020M2HXUMA1概述
采用第二代碳化硅沟槽技术的SiC MOSFET， 具备超低开关损耗和稳健体二极管特性
IMT65R020M2HXUMA1特性
暂无产品特性。
IMT65R020M2HXUMA1应用领域
暂无应用领域。