IMT65R015M2HXUMA1

基于第二代碳化硅沟槽技术， 650V MOSFET 可提供卓越的性能、出色的可靠性和易用性。 它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计， 以满足不断增长的系统和市场需求。