IMLT65R026M2HXTMA1
IC
HDSOP-16
可供量大可议
IMLT65R026M2HXTMA1
基于第二代碳化硅沟槽技术的650V SiC MOSFET， 具备超低开关损耗、高可靠性和易用性， 适用于高效高功率密度设计
品牌
Infineon
封装
HDSOP-16
库存
30
货期
现货
IMLT65R026M2HXTMA1参数
| 封装 | HDSOP-16 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IMLT65R026M2HXTMA1概述
基于第二代碳化硅沟槽技术的650V SiC MOSFET， 具备超低开关损耗、高可靠性和易用性， 适用于高效高功率密度设计
IMLT65R026M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMLT65R026M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。