IMBG65R260M1HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG65R260M1HXTMA1
基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性， 提供性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境， 能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
49
货期
现货
IMBG65R260M1HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
IMBG65R260M1HXTMA1概述
基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。 利用宽带隙碳化硅材料特性， 提供性能、可靠性和易用性的独特组合。 适用于高温和恶劣操作环境， 能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
IMBG65R260M1HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG65R260M1HXTMA1应用领域
暂无应用领域。