IMBG65R163M1HXTMA1
自营可供
IC
TO-263-7
IMBG65R163M1HXTMA1
650V, 59A, 83MOhms, N-Channel, TO247-3, MOSFET
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
交期
现货
批次
—
IMBG65R163M1HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 反向传输电容(Crss) | 4.8pF |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.7V |
| 输入电容(Ciss) | 320pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 217mΩ |
IMBG65R163M1HXTMA1概述
650V, 59A, 83MOhms, N-Channel, TO247-3, MOSFET