IMBG65R083M1HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG65R083M1HXTMA1
碳化硅沟槽功率MOSFET， 具备高性能、高可靠性和易用性， 适用于高温和恶劣环境
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
19
货期
现货
IMBG65R083M1HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 19 |
IMBG65R083M1HXTMA1概述
碳化硅沟槽功率MOSFET， 具备高性能、高可靠性和易用性， 适用于高温和恶劣环境
IMBG65R083M1HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG65R083M1HXTMA1应用领域
暂无应用领域。