IMBG65R050M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG65R050M2HXTMA1
基于第二代碳化硅沟槽技术， 650 V MOSFET 提供卓越的性能、高可靠性和易用性。 它实现了具有成本效益、高效且简化的设计， 以满足不断增长的系统和市场需求。
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
21
货期
现货
IMBG65R050M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
IMBG65R050M2HXTMA1概述
基于第二代碳化硅沟槽技术， 650 V MOSFET 提供卓越的性能、高可靠性和易用性。 它实现了具有成本效益、高效且简化的设计， 以满足不断增长的系统和市场需求。
IMBG65R050M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG65R050M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。