IMBG65R033M2HXTMA1-HXY

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 凭借碳化硅材料的优异特性， 器件在高频、高压工作条件下展现出更低的开关损耗与更高的效率。 适用于对能效和功率密度要求较高的电源转换、可再生能源系统及高频率电力电子装置， 能够在严苛电气环境中保持稳定可靠的性能表现。