IMBG65R030M1HXTMA1-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
IMBG65R030M1HXTMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-7L
库存
10
货期
现货
IMBG65R030M1HXTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
IMBG65R030M1HXTMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为650V， 导通电阻低至26mΩ， 在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。 得益于碳化硅材料特性， 器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。
IMBG65R030M1HXTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMBG65R030M1HXTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。