IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
IC
TO-263-7L
可供量大可议
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、73A的连续漏极电流（ID）和26mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 其低导通电阻与高耐压特性结合碳化硅材料的高频优势， 可在高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及高密度电力电子设备中实现优异的开关性能与热管理表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263-7L
库存
5
货期
现货
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY参数
| 封装 | TO-263-7L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY概述
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、73A的连续漏极电流（ID）和26mΩ的导通电阻（RDS(on)）， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 其低导通电阻与高耐压特性结合碳化硅材料的高频优势， 可在高效率电源转换、数据中心供电系统、光伏逆变器及高密度电力电子设备中实现优异的开关性能与热管理表现。
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY特性
暂无产品特性。
IMBG65R026M2HXTMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。