IMBG65R020M2HXTMA1-HXY

该碳化硅场效应管为N沟道结构， 具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压， 导通电阻低至26mΩ， 栅源驱动电压范围为-10V至+25V。 器件凭借碳化硅材料特性， 在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性， 适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统， 如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。