IMBG65R020M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG65R020M2HXTMA1
基于碳化硅沟槽技术的MOSFET， 具有超低开关损耗、灵活驱动电压和坚固体二极管操作等特性
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
13
货期
现货
IMBG65R020M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
IMBG65R020M2HXTMA1概述
基于碳化硅沟槽技术的MOSFET， 具有超低开关损耗、灵活驱动电压和坚固体二极管操作等特性
IMBG65R020M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG65R020M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。