IMBG65R010M2H
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG65R010M2H
采用第二代硅碳化物沟槽技术的碳化硅MOSFET， 具备低开关损耗和稳健栅极操作
Brand
Infineon
Package
TO-263-7
Stock
3
货期
现货
IMBG65R010M2HParameters
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
IMBG65R010M2H概述
采用第二代硅碳化物沟槽技术的碳化硅MOSFET， 具备低开关损耗和稳健栅极操作
IMBG65R010M2H特性
暂无产品特性。
IMBG65R010M2H应用领域
暂无应用领域。