IMBG120R350M1HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R350M1HXTMA1
特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强， 可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。 应用：驱动器。 基础设施-充电器
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
6
货期
现货
IMBG120R350M1HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 6 |
IMBG120R350M1HXTMA1概述
特性：极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强， 可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。 应用：驱动器。 基础设施-充电器
IMBG120R350M1HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R350M1HXTMA1应用领域
暂无应用领域。