IMBG120R181M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R181M2HXTMA1
特性：VDSS = 1200 V（TVj = 25℃时）。 IDDC = 10.5 A（Tc = 100℃时）。 RDS(on) = 181.4 mΩ（VGS = 18 V， TVj = 25℃时）。 极低的开关损耗。 过载运行可达TVj = 200℃。 短路耐受时间2 μs。 应用：EV充电。 在线UPS/工业UPS
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
12
货期
现货
IMBG120R181M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
IMBG120R181M2HXTMA1概述
特性：VDSS = 1200 V（TVj = 25℃时）。 IDDC = 10.5 A（Tc = 100℃时）。 RDS(on) = 181.4 mΩ（VGS = 18 V， TVj = 25℃时）。 极低的开关损耗。 过载运行可达TVj = 200℃。 短路耐受时间2 μs。 应用：EV充电。 在线UPS/工业UPS
IMBG120R181M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R181M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。