IMBG120R116M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R116M2HXTMA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A T/R
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
1,000
货期
现货
IMBG120R116M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V |
| 输入电容(Ciss) | 500pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 115.7mΩ |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 123W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.4nC |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF |
| 输出电容(Coss) | 19pF |
IMBG120R116M2HXTMA1概述
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 21.2A T/R
IMBG120R116M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R116M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。