IMBG120R078M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R078M2HXTMA1
碳化硅MOSFET， 低开关损耗， 抗寄生导通， 体二极管耐用， XT互连技术
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
36
货期
现货
IMBG120R078M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 36 |
IMBG120R078M2HXTMA1概述
碳化硅MOSFET， 低开关损耗， 抗寄生导通， 体二极管耐用， XT互连技术
IMBG120R078M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R078M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。