IMBG120R053M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R053M2HXTMA1
特性：VDSS = 1200 V， 温度为25℃。 IDDC = 29 A， 温度为100℃。 RDS(on) = 52.6 mΩ， VGS = 18 V， 温度为25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达200℃。 短路耐受时间为2 μs。 应用：电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
38
货期
现货
IMBG120R053M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 38 |
IMBG120R053M2HXTMA1概述
特性：VDSS = 1200 V， 温度为25℃。 IDDC = 29 A， 温度为100℃。 RDS(on) = 52.6 mΩ， VGS = 18 V， 温度为25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达200℃。 短路耐受时间为2 μs。 应用：电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS
IMBG120R053M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R053M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。