IMBG120R012M2HXTMA1
IC
TO-263-7
可供量大可议
IMBG120R012M2HXTMA1
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 102 A at TC = 100℃。 RDSS(on) = 12.2 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。 应用：EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
品牌
Infineon
封装
TO-263-7
库存
1
货期
现货
IMBG120R012M2HXTMA1参数
| 封装 | TO-263-7 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
IMBG120R012M2HXTMA1概述
特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 102 A at TC = 100℃。 RDSS(on) = 12.2 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200℃。 短路耐受时间 2 μs。 应用：EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
IMBG120R012M2HXTMA1特性
暂无产品特性。
IMBG120R012M2HXTMA1应用领域
暂无应用领域。