IMBF170R650M1XTMA1
IC
TO-263-7-13
可供量大可议
IMBF170R650M1XTMA1
特性：革命性半导体材料：碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压， 与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt， 用于电磁干扰优化。 应用：能源生产。 太阳能串式逆变器
品牌
Infineon
封装
TO-263-7-13
库存
195
货期
现货
IMBF170R650M1XTMA1参数
| 封装 | TO-263-7-13 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 195 |
IMBF170R650M1XTMA1概述
特性：革命性半导体材料：碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压， 与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压， VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt， 用于电磁干扰优化。 应用：能源生产。 太阳能串式逆变器
IMBF170R650M1XTMA1特性
暂无产品特性。
IMBF170R650M1XTMA1应用领域
暂无应用领域。