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IMBF170R1K0M1XTMA1
IC

TO-263-7-13

可供量大可议

IMBF170R1K0M1XTMA1

碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1

品牌

Infineon

封装

TO-263-7-13

库存

30

货期

现货

IMBF170R1K0M1XTMA1参数

封装TO-263-7-13
品牌Infineon(英飞凌)
批次两年内
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.7kV
阈值电压(Vgs(th))4.5V
输入电容(Ciss)275pF
工作温度-55℃~+175℃
导通电阻(RDS(on))809mΩ@15V
分类碳化硅场效应管(MOSFET)
库存30
MOQ / SPQ1 / 1
类型N沟道
耗散功率(Pd)68W
栅极电荷量(Qg)5nC
反向传输电容(Crss)0.7pF
输出电容(Coss)7.2pF

IMBF170R1K0M1XTMA1概述

碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1

IMBF170R1K0M1XTMA1特性

暂无产品特性。

IMBF170R1K0M1XTMA1应用领域

暂无应用领域。

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