IMBF170R1K0M1XTMA1
IC
TO-263-7-13
可供量大可议
IMBF170R1K0M1XTMA1
碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1
品牌
Infineon
封装
TO-263-7-13
库存
30
货期
现货
IMBF170R1K0M1XTMA1参数
| 封装 | TO-263-7-13 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 输入电容(Ciss) | 275pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 导通电阻(RDS(on)) | 809mΩ@15V |
| 分类 | 碳化硅场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 类型 | N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC |
| 反向传输电容(Crss) | 0.7pF |
| 输出电容(Coss) | 7.2pF |
IMBF170R1K0M1XTMA1概述
碳化硅场效应管(MOSFET) IMBF170R1K0M1XTMA1
IMBF170R1K0M1XTMA1特性
暂无产品特性。
IMBF170R1K0M1XTMA1应用领域
暂无应用领域。
