ILQ615-2

使用GaAs IRED发射器和高增益NPN光电晶体管的多通道光电晶体管光耦合器。 这些器件采用上下引线框架光耦合和双模绝缘技术， 可承受7500 VACₚₑₐₖ的测试电压和1700 VRMS的工作电压。 分档的最小/最大和线性CTR特性使这些器件非常适合直流或交流电压检测。 消除光电晶体管基极连接可增强在许多工业控制环境中对瞬态电噪声的抗干扰能力。 由于保证了最大非饱和和饱和开关特性， 可用于中速数据I/O和控制系统。 分档的最小/最大CTR规格便于进行电平检测和开关应用的最坏情况接口计算。 在IF = 1 mA时保证的CTR增强了与CMOS逻辑的接口能力。