IL715-3E
IC
SOIC-16
可供量大可议
IL715-3E
采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。 所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内均以110 Mbps的速度运行。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns， 脉冲宽度失真为2 ns， 达到了任何隔离器的最佳规格
品牌
NVE
封装
SOIC-16
库存
5
货期
现货
IL715-3E参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | NVE |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 数字隔离器 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
IL715-3E概述
采用专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻（GMR）技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障可提供出色的隔离效果和几乎无限的屏障寿命。 所有发射和接收通道在全温度和电源电压范围内均以110 Mbps的速度运行。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns， 脉冲宽度失真为2 ns， 达到了任何隔离器的最佳规格
IL715-3E特性
暂无产品特性。
IL715-3E应用领域
暂无应用领域。