IL 712S-3E
IC
SOIC-8
可供量大可议
IL 712S-3E
高速数字隔离器是采用专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。 两个通道的典型数据速率为150 Mbps。 标准和S级部件的温度范围为 -40℃至 +100℃, “T”和“V”级部件的最高工作温度为125℃。 V级版本为宽体封装提供0 kVRMS的极高隔离电压, 为MSOP提供2.5 kVRMS的隔离电压。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns, 脉冲宽度失真低至300 ps(0.3 ns)。 最小瞬态抗扰度为100 kV/μs。
品牌
NVE
封装
SOIC-8
库存
85
货期
现货
IL 712S-3E参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | NVE |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 数字隔离器 |
|---|---|
| 库存 | 85 |
IL 712S-3E概述
高速数字隔离器是采用专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。 两个通道的典型数据速率为150 Mbps。 标准和S级部件的温度范围为 -40℃至 +100℃, “T”和“V”级部件的最高工作温度为125℃。 V级版本为宽体封装提供0 kVRMS的极高隔离电压, 为MSOP提供2.5 kVRMS的隔离电压。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns, 脉冲宽度失真低至300 ps(0.3 ns)。 最小瞬态抗扰度为100 kV/μs。
IL 712S-3E特性
暂无产品特性。
IL 712S-3E应用领域
暂无应用领域。
