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IL 712S-3E
IC

SOIC-8

可供量大可议

IL 712S-3E

高速数字隔离器是采用专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。 两个通道的典型数据速率为150 Mbps。 标准和S级部件的温度范围为 -40℃至 +100℃, “T”和“V”级部件的最高工作温度为125℃。 V级版本为宽体封装提供0 kVRMS的极高隔离电压, 为MSOP提供2.5 kVRMS的隔离电压。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns, 脉冲宽度失真低至300 ps(0.3 ns)。 最小瞬态抗扰度为100 kV/μs。

品牌

NVE

封装

SOIC-8

库存

85

货期

现货

IL 712S-3E参数

封装SOIC-8
品牌NVE
MOQ / SPQ1 / 1
分类数字隔离器
库存85

IL 712S-3E概述

高速数字隔离器是采用专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造的CMOS器件。 独特的陶瓷/聚合物复合屏障提供出色的隔离和几乎无限的屏障寿命。 两个通道的典型数据速率为150 Mbps。 标准和S级部件的温度范围为 -40℃至 +100℃, “T”和“V”级部件的最高工作温度为125℃。 V级版本为宽体封装提供0 kVRMS的极高隔离电压, 为MSOP提供2.5 kVRMS的隔离电压。 对称磁耦合屏障的典型传播延迟仅为10 ns, 脉冲宽度失真低至300 ps(0.3 ns)。 最小瞬态抗扰度为100 kV/μs。

IL 712S-3E特性

暂无产品特性。

IL 712S-3E应用领域

暂无应用领域。

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