IKZ75N65ES5
IC
TO-247-4
可供量大可议
IKZ75N65ES5
特性：高速S5技术， 适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）， 标称电流下为1.42V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。 应用：工业不间断电源（UPS）。 工业开关电源（SMPS）
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
10
货期
现货
IKZ75N65ES5参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.75V@75A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 164nC@15V |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 46ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.3mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 72ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.75mA |
| 输入电容(Cies) | 4.5nF@25V |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 405ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.5mJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
IKZ75N65ES5概述
IGBT管/模块 IKZ75N65ES5 TO-247-4
IKZ75N65ES5特性
暂无产品特性。
IKZ75N65ES5应用领域
暂无应用领域。