IKZ75N65EH5
IC
TO-247-4
可供量大可议
IKZ75N65EH5
特性：高速H5技术。 由于采用开尔文发射极引脚与TRENCHSTOP 5相结合， 实现超低损耗开关。 在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 应用：不间断电源。 焊接转换器
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
24
货期
现货
IKZ75N65EH5参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@75A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 166nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 130pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns |
| 导通损耗(Eon) | 680uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 58ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
| 耗散功率(Pd) | 395W |
| 集电极电流(Ic) | 90A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.75mA |
| 输入电容(Cies) | 4.3nF |
| 反向传输电容(Cres) | 16pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 347ns |
| 关断损耗(Eoff) | 430uJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
IKZ75N65EH5概述
IGBT管/模块 IKZ75N65EH5 TO-247-4
IKZ75N65EH5特性
暂无产品特性。
IKZ75N65EH5应用领域
暂无应用领域。