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IKY75N120CH7XKSA1
IC

TO-247-4

可供量大可议

IKY75N120CH7XKSA1

IGBT 沟槽型场截止 1200 V 83 A 549 W 通孔 PG-TO247-4-U10

品牌

Infineon

封装

TO-247-4

库存

137

货期

现货

IKY75N120CH7XKSA1参数

封装TO-247-4
品牌Infineon(英飞凌)
批次24+
耗散功率(Pd)549W
集电极电流(Ic)83A
栅极阈值电压(Vge(th))4.7V@1.2mA
输入电容(Cies)9.6nF@25V
关断延迟时间(Td(off))367ns
关断损耗(Eoff)2.02mJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存137
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V@75A, 15V
栅极电荷量(Qg)550nC@75A, 15V
开启延迟时间(Td(on))42ns
导通损耗(Eon)1.81mJ
反向恢复时间(Trr)90ns

IKY75N120CH7XKSA1概述

IGBT 沟槽型场截止 1200 V 83 A 549 W 通孔 PG-TO247-4-U10

IKY75N120CH7XKSA1特性

暂无产品特性。

IKY75N120CH7XKSA1应用领域

暂无应用领域。

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