IKY40N120CH3
IC
TO-247-4
可供量大可议
IKY40N120CH3
特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术， 具有超低开关损耗。 在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 在Tᵥⱼ = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。 由于VCE(sat)具有正温度系数， 易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷QG。 应用：工业不间断电源。 充电器
品牌
Infineon
封装
TO-247-4
库存
21
货期
现货
IKY40N120CH3参数
| 封装 | TO-247-4 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
IKY40N120CH3概述
特性：高速H3技术提供:由于采用开尔文发射极引脚封装结合高速H3技术， 具有超低开关损耗。 在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 在Tᵥⱼ = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。 由于VCE(sat)具有正温度系数， 易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷QG。 应用：工业不间断电源。 充电器
IKY40N120CH3特性
暂无产品特性。
IKY40N120CH3应用领域
暂无应用领域。