IKWH75N65EH7XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKWH75N65EH7XKSA1
特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。 应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
30
货期
现货
IKWH75N65EH7XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IKWH75N65EH7XKSA1概述
特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。 应用：工业不间断电源。 电动汽车充电
IKWH75N65EH7XKSA1特性
暂无产品特性。
IKWH75N65EH7XKSA1应用领域
暂无应用领域。