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IKW75N65ES5
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IC

TO-247-3

IKW75N65ES5

IGBT管/模块 IKW75N65ES5

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

交期

现货

批次

两年内

IKW75N65ES5参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次两年内
耗散功率(Pd)395W
集电极电流(Ic)80A
栅极阈值电压(Vge(th))3.2V@0.75mA
输入电容(Cies)4.5nF
反向传输电容(Cres)17pF
关断延迟时间(Td(off))144ns
关断损耗(Eoff)950uJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存790
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.75V@75A, 15V
栅极电荷量(Qg)164nC@15V
输出电容(Coes)130pF
开启延迟时间(Td(on))40ns
导通损耗(Eon)2.4mJ
反向恢复时间(Trr)85ns

IKW75N65ES5概述

IGBT管/模块 IKW75N65ES5

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