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IKW50N65EH5
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IC

TO-247-3

IKW50N65EH5

IGBT管/模块 IKW50N65EH5

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

交期

现货

批次

26+

IKW50N65EH5参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
耗散功率(Pd)275W
集电极电流(Ic)80A
栅极阈值电压(Vge(th))3.2V@0.5mA
输出电容(Coes)90pF
开启延迟时间(Td(on))25ns
导通损耗(Eon)1.5mJ
反向恢复时间(Trr)81ns
分类IGBT管/模块
库存10
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@50A, 15V
输入电容(Cies)3nF
反向传输电容(Cres)12pF
关断延迟时间(Td(off))172ns
关断损耗(Eoff)500uJ
工作温度-40℃~+175℃

IKW50N65EH5概述

IGBT管/模块 IKW50N65EH5

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