IKW50N120CS7XKSA1
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKW50N120CS7XKSA1
特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时， VCE(sat) = 2.0 V。 针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 应用：工业驱动器。 工业电源
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
4
货期
现货
IKW50N120CS7XKSA1参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IKW50N120CS7XKSA1概述
特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时， VCE(sat) = 2.0 V。 针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。 短路耐受时间为 8 μs。 应用：工业驱动器。 工业电源
IKW50N120CS7XKSA1特性
暂无产品特性。
IKW50N120CS7XKSA1应用领域
暂无应用领域。