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IKW50N120CH7XKSA1
IC

TO-247-3

可供量大可议

IKW50N120CH7XKSA1

特性:VCE = 1200 V。 IC = 50 A。 最大结温 Tvjmax = 175°C。 同类最佳的高速 IGBT, 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25°C 时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)的高效率进行了优化。 应用:工业 UPS。 电动汽车充电

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

库存

20

货期

现货

IKW50N120CH7XKSA1参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V@50A, 15V
栅极电荷量(Qg)375nC@50A, 15V
导通损耗(Eon)2.33mJ
反向恢复时间(Trr)116ns
分类IGBT管/模块
库存20
耗散功率(Pd)398W
集电极电流(Ic)86A
栅极阈值电压(Vge(th))4.7V@0.8mA
输入电容(Cies)6.6nF@25V
关断损耗(Eoff)1.12mJ
工作温度-40℃~+175℃

IKW50N120CH7XKSA1概述

Infineon IKW50N120CH7XKSA1

IKW50N120CH7XKSA1特性

暂无产品特性。

IKW50N120CH7XKSA1应用领域

暂无应用领域。

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