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IKW40N65ES5
IC

TO-247-3

可供量大可议

IKW40N65ES5

IGBT管/模块 IKW40N65ES5

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

库存

2

货期

现货

IKW40N65ES5参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次22+
耗散功率(Pd)230W
集电极电流(Ic)50A
栅极阈值电压(Vge(th))4V@0.4mA
输入电容(Cies)2.5nF
反向传输电容(Cres)9pF
关断延迟时间(Td(off))130ns
关断损耗(Eoff)400uJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存2
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)650V
集射极饱和电压(VCE(sat))1.35V@40A, 15V
栅极电荷量(Qg)95nC@15V
输出电容(Coes)71pF
开启延迟时间(Td(on))19ns
导通损耗(Eon)860uJ
反向恢复时间(Trr)73ns

IKW40N65ES5概述

IGBT管/模块 IKW40N65ES5

IKW40N65ES5特性

暂无产品特性。

IKW40N65ES5应用领域

暂无应用领域。

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