IKW40N120H3-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IKW40N120H3-HXY
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 支持高耐压与大电流工作环境。 导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低损耗并提升效率。 内部集成二极管正向电流(IF)达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的开关特性和热稳定性。 该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-247
Stock
22
货期
现货
IKW40N120H3-HXYParameters
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 22 |
IKW40N120H3-HXY概述
本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 支持高耐压与大电流工作环境。 导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低损耗并提升效率。 内部集成二极管正向电流(IF)达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的开关特性和热稳定性。 该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。
IKW40N120H3-HXY特性
暂无产品特性。
IKW40N120H3-HXY应用领域
暂无应用领域。
