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IKW40N120H3-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IKW40N120H3-HXY

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 支持高耐压与大电流工作环境。 导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低损耗并提升效率。 内部集成二极管正向电流(IF)达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的开关特性和热稳定性。 该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-247

Stock

22

货期

现货

IKW40N120H3-HXYParameters

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存22

IKW40N120H3-HXY概述

本IGBT管/模块具备40A集电极电流(Ic)和1200V集射极击穿电压(Vces), 支持高耐压与大电流工作环境。 导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 有效降低损耗并提升效率。 内部集成二极管正向电流(IF)达40A, 正向压降(Vf)为1.85V, 具备良好的开关特性和热稳定性。 该器件适用于各类高效能电源转换系统、智能电网设备及新能源控制装置中的高频功率切换应用。

IKW40N120H3-HXY特性

暂无产品特性。

IKW40N120H3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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