IKW40N120CS6-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IKW40N120CS6-HXY
本产品为IGBT模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高电压和较高电流环境下运行。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V, 有助于降低功率损耗并提高系统效率。 内置二极管可承受40A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)为1.85V, 可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。 该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计, 如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
30
货期
现货
IKW40N120CS6-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 30 |
IKW40N120CS6-HXY概述
本产品为IGBT模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高电压和较高电流环境下运行。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V, 有助于降低功率损耗并提高系统效率。 内置二极管可承受40A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)为1.85V, 可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。 该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计, 如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。
IKW40N120CS6-HXY特性
暂无产品特性。
IKW40N120CS6-HXY应用领域
暂无应用领域。
