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IKW40N120CS6-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IKW40N120CS6-HXY

本产品为IGBT模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高电压和较高电流环境下运行。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V, 有助于降低功率损耗并提高系统效率。 内置二极管可承受40A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)为1.85V, 可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。 该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计, 如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

30

货期

现货

IKW40N120CS6-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存30

IKW40N120CS6-HXY概述

本产品为IGBT模块, 具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适合高电压和较高电流环境下运行。 在导通状态下, 集射极饱和电压(VCE(sat))低至1.7V, 有助于降低功率损耗并提高系统效率。 内置二极管可承受40A的正向电流(IF), 其正向压降(Vf)为1.85V, 可在高频开关和整流应用中提供稳定性能。 该模块适用于需要高效能、高可靠性的电力电子设备设计, 如智能电网、新能源变换装置及精密电机控制等领域。

IKW40N120CS6-HXY特性

暂无产品特性。

IKW40N120CS6-HXY应用领域

暂无应用领域。

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