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IKW40N120CH7XKSA1-HXY
IC

TO-247

可供量大可议

IKW40N120CH7XKSA1-HXY

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压与中高功率的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在导通状态下可有效控制功率损耗。 内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出稳定的续流能力和良好的热性能。 模块结构设计紧凑, 支持高效、可靠的电力转换与控制功能, 适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

4

货期

现货

IKW40N120CH7XKSA1-HXY参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类IGBT管/模块
库存4

IKW40N120CH7XKSA1-HXY概述

该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压与中高功率的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在导通状态下可有效控制功率损耗。 内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出稳定的续流能力和良好的热性能。 模块结构设计紧凑, 支持高效、可靠的电力转换与控制功能, 适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。

IKW40N120CH7XKSA1-HXY特性

暂无产品特性。

IKW40N120CH7XKSA1-HXY应用领域

暂无应用领域。

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