IKW40N120CH7XKSA1-HXY
IC
TO-247
可供量大可议
IKW40N120CH7XKSA1-HXY
该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压与中高功率的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在导通状态下可有效控制功率损耗。 内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出稳定的续流能力和良好的热性能。 模块结构设计紧凑, 支持高效、可靠的电力转换与控制功能, 适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
4
货期
现货
IKW40N120CH7XKSA1-HXY参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
IKW40N120CH7XKSA1-HXY概述
该IGBT模块具备40A的集电极电流(Ic)和1200V的集射极击穿电压(Vces), 适用于高电压与中高功率的应用场景。 其集射极饱和电压(VCE(sat))为1.7V, 在导通状态下可有效控制功率损耗。 内置二极管可承受最高40A的正向电流(IF), 正向压降(Vf)为1.85V, 表现出稳定的续流能力和良好的热性能。 模块结构设计紧凑, 支持高效、可靠的电力转换与控制功能, 适用于多种高性能电子系统的功率管理需求。
IKW40N120CH7XKSA1-HXY特性
暂无产品特性。
IKW40N120CH7XKSA1-HXY应用领域
暂无应用领域。
