IKW30N65H5
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKW30N65H5
IGBT管/模块 IKW30N65H5
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
240
货期
现货
IKW30N65H5参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@30A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 45pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 20ns |
| 导通损耗(Eon) | 280uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 240 |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 集电极电流(Ic) | 35A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.2V@0.3mA |
| 输入电容(Cies) | 1.8nF |
| 反向传输电容(Cres) | 7pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 190ns |
| 关断损耗(Eoff) | 100uJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
IKW30N65H5概述
IGBT管/模块 IKW30N65H5
IKW30N65H5特性
暂无产品特性。
IKW30N65H5应用领域
暂无应用领域。