IKW30N65ET7
IC
PG-TO247-3
可供量大可议
IKW30N65ET7
未分类
品牌
Infineon
封装
PG-TO247-3
库存
151
货期
现货
IKW30N65ET7参数
| 封装 | PG-TO247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 25+ |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.65V@30A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 62pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
| 导通损耗(Eon) | 590uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 80ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 151 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 集电极电流(Ic) | 60A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@0.3mA |
| 输入电容(Cies) | 1.9nF |
| 反向传输电容(Cres) | 20pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 245ns |
| 关断损耗(Eoff) | 500uJ |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
IKW30N65ET7概述
未分类
IKW30N65ET7特性
暂无产品特性。
IKW30N65ET7应用领域
暂无应用领域。