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IKW30N65ES5XKSA1
自营可供
IC

TO-247-3

IKW30N65ES5XKSA1

Transistor: IGBT; 650V; 39.5A

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

交期

现货

批次

23+

IKW30N65ES5XKSA1参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次23+
IGBT 类型沟道
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)62A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)1.7V @ 15V, 30A
功率 - 最大值188W
输入类型标准
25°C 时 Td(开/关)值17ns/124ns
反向恢复时间 (trr)75ns
安装类型通孔
分类IGBT管/模块
库存64
MOQ / SPQ1 / 1
电压 - 集射极击穿(最大值)650V
电流 - 集电极脉冲 (Icm)120A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)1.7V @ 15V, 30A
开关能量560µJ(开), 320µJ(关)
栅极电荷70nC
测试条件400V, 30A, 13 欧姆, 15V
工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳TO-247-3

IKW30N65ES5XKSA1概述

Transistor: IGBT; 650V; 39.5A

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