IKW30N65ES5
IC
TO-247-3
可供量大可议
IKW30N65ES5
特性：高速S5技术， 适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）， 额定电流下为1.35V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定快速1型反并联二极管共封装。 应用：谐振转换器。 不间断电源
品牌
Infineon
封装
TO-247-3
库存
15
货期
现货
IKW30N65ES5参数
| 封装 | TO-247-3 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
IKW30N65ES5概述
特性：高速S5技术， 适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）， 额定电流下为1.35V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定快速1型反并联二极管共封装。 应用：谐振转换器。 不间断电源
IKW30N65ES5特性
暂无产品特性。
IKW30N65ES5应用领域
暂无应用领域。