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IKW25N120T2
IC

TO-247-3

可供量大可议

IKW25N120T2

IGBT管/模块 IKW25N120T2

品牌

Infineon

封装

TO-247-3

库存

157

货期

现货

IKW25N120T2参数

封装TO-247-3
品牌Infineon(英飞凌)
批次两年外
耗散功率(Pd)349W
集电极电流(Ic)50A
栅极阈值电压(Vge(th))5.2V@1.0mA
反向传输电容(Cres)90pF
关断延迟时间(Td(off))265ns
关断损耗(Eoff)1.35mJ
工作温度-40℃~+175℃
分类IGBT管/模块
库存157
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集射极饱和电压(VCE(sat))2.2V@25A, 15V
栅极电荷量(Qg)120nC@15V
开启延迟时间(Td(on))27ns
导通损耗(Eon)1.55mJ
反向恢复时间(Trr)195ns

IKW25N120T2概述

IGBT管/模块 IKW25N120T2

IKW25N120T2特性

暂无产品特性。

IKW25N120T2应用领域

暂无应用领域。

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